1N5819WS S4 40V Diodo Schottky di tipo indipendente 1N5819BWS 1N5819CWS

Personalizzazione: Disponibile
Tipo conduttivo: Circuito Integrato Bipolare
Integrazione: GSI

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
1N5819WS
Temperatura di esercizio
-55℃ - 125℃
Forma
Piatto
Tecnica
Circuito integrato a semiconduttore
med.
jsmicro
d/c
23+
pacchetto
sod323
qualità
originale nuovo
stato del prodotto
attivo
Pacchetto di Trasporto
scatola
Specifiche
circuito integrato
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8542399000
Capacità di Produzione
1000000pz

Descrizione del Prodotto

descrizione

1N5819WS   diodi Schottky tipo indipendente da 40 V 350 ma 600 mV@200 ma SOD-323 ROHS

MFR. N. parte: 1N5819WS

Scheda tecnica:  1N5819WS S4 40V Independent Type Schottky Diode 1N5819BWS 1N5819CWS(E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  1N5819WS S4 40V Independent Type Schottky Diode 1N5819BWS 1N5819CWS

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO
 

 
 
 
Corrente di dispersione inversa (IR) 5 uA@30 V.
Tensione retromarcia (VR) 40 V.
Configurazione diodo Tipo indipendente
Corrente raddrizzata 350 ma
Tensione diretta (Vf@If) 600 mV@200 ma


 

• giunzione in silicio metallico, conduzione portante maggioritaria
• protezione per la protezione da sovratensione
• bassa perdita di potenza, elevata efficienza
• capacità di corrente elevata
• bassa caduta di tensione diretta
• elevata capacità di sovracorrente
• per l'uso in inverter a bassa tensione, alta frequenza, applicazioni di ricircolo e protezione contro la polarità

 



1N5819WS S4 40V Independent Type Schottky Diode 1N5819BWS 1N5819CWS


1N5819WS S4 40V Independent Type Schottky Diode 1N5819BWS 1N5819CWS

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1N5819WS S4 40V Independent Type Schottky Diode 1N5819BWS 1N5819CWS


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Certificati

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Dettagli imballaggio prodotto

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